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参数资料
| 型号： | 1N6303A-A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 1N6303A-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4005 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N483BT50A | 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914T26A | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914T50A | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N755A | 7.5 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6303AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
| 1N6303A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6303A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6303A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6303A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 200V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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