型号: | 1N6356 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 129K |
代理商: | 1N6356 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4154-13 | 0.15 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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150HF80PV | 150 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
150HFR80WV | 150 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N4756A-T/B | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6357 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 8V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
1N6358 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 10V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
1N6359 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 12V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
1N636 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
1N6360 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 15V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |