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参数资料
| 型号： | 1N6370 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 1N6370 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6371 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N6376 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6386 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6387 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N5228B | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6371 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 36V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 1500W DO-13 |
| 1N6372 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 45V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
| 1N6373 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.3V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6373/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 5.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6373/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 5.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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