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参数资料
| 型号： | 1N6372 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 1N6372 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6375 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6376 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N6373 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.3V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6373/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 5.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6373/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 5.0V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6373/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:1500 Watt MOSORB， Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional |
| 1N6373_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
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