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参数资料
| 型号： | 1N6375 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 1N6375 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N833A | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, VHF-X BAND, MIXER DIODE |
| 1N832C | SILICON, X BAND, MIXER DIODE |
| 1N26C | SILICON, K BAND, MIXER DIODE |
| 1N4446T26R | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N5222BTR | 2.5 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6375/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6375/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6375-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6375-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6375-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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