型号: | 1N6383/70-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | 1N6383/70-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6384/92-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6374/70-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6375/51-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6382/54-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6638 | 0.3 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6383-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6383-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6383-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6383-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6383-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |