型号: | 1N6385/64-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | 1N6385/64-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1.5SMC400CA/51-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
1N4385GP/51-E3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
1N4586GP/4G-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
1N5391GP/4E-E3 | 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
1N5392GP/100-E3 | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N6385-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385HE3/51 | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):15V 电压 - 击穿(最小值):17.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:21.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):60A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |