型号: | 1N6385 |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | 1N6385 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4681CO | 2.4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5407 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N5416V | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N5615X | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6385/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6385-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |