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参数资料
| 型号： | 1N645-1 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-IRELAND |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
| 中文描述： | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | 1N645-1 |
MAXIMUM RATINGS AT 25
°C
Operating Temperature:
-65
°C to +175°C
Storage Temperature:
-65
°C to +175°C
Surge Current A, sine 8.3mS:
5.0A
Total Power Dissipation:
500mW
Operating Current:
400mA, TA= +25°C
Operating Current:
150mA, TA= +150°C
Derating Factor:
2mA/
°C above +25°C
Derating Factor:
6mA/
°C above +150°C
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
225V
FEATURES
1N645-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/240
SILICON RECTIFIER
METALLURGICALLY BONDED
HERMETICALLY SEALED
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VF
IR
Ambient
(
°C)
IF
mA
Min
V
Max
V
Ambient
(
°C)
VR
V (dc)
Min
A
Max
A
25
400
0.80
1.00
25
225
-
0.050
150
400
0.70
0.95
25
270(ac)
-
50
-55
400
-
1.20
150
225
-
25
DESIGN DATA
Case: Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/240 DO-35 outline
Lead Material: Copper clad steel
Lead Finish: Tin/Lead
Thermal Resistance (RθJL): 250°C/W maximum
at L=.375”
Thermal Impedance (ZθJX): 35°C/W maximum
Marking: Blue body coat, Black digits.
Polarity: Cathode end is banded.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25
°C
Symbol
Min
Max
Capacitance @ VR = 4V
pF
-
20
IRELAND - GORT ROAD
, ENNIS, CO. CLARE
PHONE:
+353 65 6840044
TOLL FREE:
+186 62 702434
FAX:
+353 65 6822298
U.S.A. DOMESTIC SALES CONTACT
PHONE:
(617) 926 0404
TOLL FREE:
1 800 666 2999
WWW.MICROSEMI.COM
1N645-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4000A | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 1.5KE12 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE13 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE15 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1.5KE16 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N645-1/TR | 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N645-1/TR7 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N645-1JAN | 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: |
| 1N645-1JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N645-1JANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 225V 0.4A 2-Pin DO-35 |
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