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参数资料
| 型号： | 1N756A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 1N756A |
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at TL = 75°C
Ptot
500(1)
mW
Maximum Junction Temperature
Tj
175
°C
Storage Temperature Range
TS
– 65 to +175
°C
NOTES:
(1) TL is measured 3/8” from body.
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
Standard Zener voltage tolerance is ±5% for
“A” suffix. Other tolerances are available upon
request.
MECHANICAL DATA
Case: DO-35 Glass Case
Weight: approx. 0.13 g
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
1N746 THRU 1N759
ZENER DIODES
1/6/98
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance
RthJA
–
300(1)
°C/W
Junction to Ambient Air
Forward Voltage
VF
–
1.5
Volts
at IF = 200 mA
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
NEW PRODUCT
mi
n.
1.083
(
27.5)
mi
n.
1.083
(
2
7
.5)
max
..
150
(
3.8)
max.
Cathode
.020 (0.52)
Mark
max. .079 (2.0)
DO-35
Dimensions are in inches and (millimeters)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4733ATA2 | 5.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4737ARL2 | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4741ATA2 | 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4745A | 16 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4750ACRL | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N756A BK | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N756A TR | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| 1N756A_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 1N756A_Q | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N756A_S00Z | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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