型号: | 1N759A |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 36K |
代理商: | 1N759A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N758A | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N821A | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-7 |
1N4565 | 6.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
1N4568A | 6.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
1N4571A | 6.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N759A BK | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
1N759A TR | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
1N759A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Zener Diode |
1N759A/D8 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diode,Single, Two Terminal,12V V(Z),5%,DO-204AH |
1N759A_S00Z | 功能描述:稳压二极管 12V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |