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参数资料
| 型号： | 1N914_T26A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Reverse Voltage vs. Reverse Current
BV
- 1.0 to 100
μA
Figure 2. Reverse Current vs. Reverse Voltage
IR
- 10 to 100 V
Figure 3. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 1 to 100
μA
Figure 4. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 0.1 to 10 mA
Figure 5. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 10 to 800 mA
Figure 6. Forward Voltage vs. Ambient Temperature
VF
- 0.01 - 20 mA (- 40 to +65
°C)
110
120
130
140
150
160
Ta=25 oC
1 2 3 5 10 20 30 50 100
Reverse Voltage, V
R
[V]
Reverse Current, IR
[uA]
010 20 30 50 70 100
Reverse Voltage, VR
[V]
20
40
60
80
100
120
Ta= 25 oC
Reverse Current, I
R
[nA]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
250
1 2 3 5 10 20 30 50 100
300
350
400
450
500
550
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
R
[mV]
Forward Current, IF
[uA]
450
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
500
550
600
650
700
750
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
0.610 20 30 50 100 200 300 500 800
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
0.01 0.1 1 100.03
0.3
3
300
400
500
600
700
800
900
Typical
Ta= -40 oC
Ta= 25 oC
Ta= +65 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 1N914THRU1N4454 | 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |
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