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参数资料
| 型号： | 1N914B_T50A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Reverse Voltage vs. Reverse Current
BV
- 1.0 to 100
μA
Figure 2. Reverse Current vs. Reverse Voltage
IR
- 10 to 100 V
Figure 3. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 1 to 100
μA
Figure 4. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 0.1 to 10 mA
Figure 5. Forward Voltage vs. Forward Current
VF
- 10 to 800 mA
Figure 6. Forward Voltage vs. Ambient Temperature
VF
- 0.01 - 20 mA (- 40 to +65
°C)
110
120
130
140
150
160
Ta=25 oC
1 2 3 5 10 20 30 50 100
Reverse Voltage, V
R
[V]
Reverse Current, IR
[uA]
010 20 30 50 70 100
Reverse Voltage, VR
[V]
20
40
60
80
100
120
Ta= 25 oC
Reverse Current, I
R
[nA]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
250
1 2 3 5 10 20 30 50 100
300
350
400
450
500
550
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
R
[mV]
Forward Current, IF
[uA]
450
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
500
550
600
650
700
750
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
0.610 20 30 50 100 200 300 500 800
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta= 25 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
0.01 0.1 1 100.03
0.3
3
300
400
500
600
700
800
900
Typical
Ta= -40 oC
Ta= 25 oC
Ta= +65 oC
Forward Voltage, V
F
[mV]
Forward Current, IF
[mA]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSM43DTBH | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
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| 1N914A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
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| 1N914A | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N914B-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V, 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N914BTR | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N914B-TR | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 100V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N914BTR_S00Z | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N914BW | 功能描述:稳压二极管 Switching diode 400 mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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