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参数资料
| 型号： | 1N914B_T50R |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 1
April 2013
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IO
Average Rectified Forward Current 200 mA
IF
DC Forward Current 300 mA
If
Recurrent Peak Forward Current 400 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 s 1.0 A
Pulse Width = 1.0 μs4.0 A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter
Max.
Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
LL-34
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
LL-34 COLOR BAND MARKING
DEVICE
1ST BAND
DO-35
FDLL914 BLACK
FDLL914A BLACK
FDLL914B BLACK
FDLL4148 BLACK
Cathode is denoted with a black band
FDLL4448 BLACK
-1st band denotes cathode terminal
and has wider width
SOD80
Cathode Band
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BNY-CV-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W |
| 1N914B_T50A | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| GSM43DTBH | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
| HHR-30SCPY20L2X5 | BATTERY PACK NIMH 12.0V 3000 MAH |
| 1N914A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N914B-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V, 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N914BTR | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N914B-TR | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 100V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N914BTR_S00Z | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N914BW | 功能描述:稳压二极管 Switching diode 400 mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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