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参数资料
| 型号： | 1N914BVM |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | 1N914BVM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4446HA | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4446T-11Y | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4446VE | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914AHG | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914AHJ | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N914BW | 功能描述:稳压二极管 Switching diode 400 mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N914BW RHG | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N914BWRH | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:400mW High Speed SMD Switching Diode |
| 1N914BWS | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N914BWS RRG | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
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