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参数资料
| 型号： | 1N914BWS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 237K |
| 描述： | DIODE 75V 150MA SOD323F |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 150mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N914BWSDKR |
1N4148WS / 1N4448WS / 1N91
4BWS — Small Signal Diodes
? 2012 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N4148WS / 1N4448WS / 1N914BWS Rev. B0 1
April 2012
1N4148WS / 1N4448WS / 1N914BWS
Small Signal Diodes
Features
? General Purpose Diodes
? Fast Switching Device (TRR
< 4.0ns)
? Very Small and Thin SMD Package
? Moisture Level Sensitivity 1
? Pb-free Version and RoHS Compliant
? Matte Tin (Sn) Lead Finish
? Green Mold Compound
Absolute Maximum Ratings*
Ta
= 25
°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
The factory should be consul
ted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
* Device mounted on FR-4 PCB minimum land pad.
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter Value Units
VRSM
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 100 V
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage 75 V
IFRM
Repetitive Peak Forward Current 300 mA
IO
Continuous Forward Current 150 mA
TJ
Operating Junction Temperature +150
°C
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
Symbol
Parameter Value Units
PD
Power Dissipation (TC
= 25
°C) 200 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
500
°C/W
Symbol
Parameter Test Conditions
Min. Typ. Max.
Units
BVR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA
IR
= 5
μA
100
75
V
V
IR
Reverse Current VR
= 20 V
VR
= 75 V
25
5
nA
μA
VF
Forward Voltage 1N4448WS/914BWS
IF
= 5 mA
IF
= 10 mA
IF
= 100 mA
1N4148WS
1N4448WS/914BWS
0.62 0.72
1
1
V
V
V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f = 1 MHz 4 pF
TRR
Reverse Recovery Time IF = 10 mA, IR = 60 mA,
IRR = 1 mA, RL
= 100
Ω
4ns
Band Indicates Cathode
1. Cathode
ELECTRICAL SYMBOL
2. Anode
SOD-323 Flat Lead
Device Marking Code
Device Type Device Marking
1N4148WS S1
1N4448WS S2
1N914BWS
S3
2
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 1N914JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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