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参数资料
| 型号： | 1N916TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 20mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 4
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Total Capacitance
Figure 8. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
Figure 9. Average Rectified Current (IF(AV))
vs Ambient Temperature (TA)
Figure 10. Power Derating Curve
0.75
02468101214
0.80
0.85
0.90
TA
= 25
o
C
Total Capacitance (pF)
REVERSE VOLTAGE (V)
1.010 20 30 40 50 60
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Ta = 25 oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
Reverse Recovery Current, Irr
[mA]
IF = 10mA , IRR = 1.0 mA , Rloop = 100 Ohms
0
0 50 100 150
100
200
300
400
500
IF(AV)
-
AVERAG
E
RECTIFI
ED
CURREN
T
-
mA
Current (mA)
Ambient Temperature ( oC)
0
0 50 100 150 200
100
200
300
400
500
DO-35
SOT-23
Power Dissipation, P
D
[mW]
Temperature [ oC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10090926-P444XLF | DSUB HD MALE R/A 44POS SOLDR T/H |
| T86E107K016EASS | CAP TANT 100UF 16V 10% 2917 |
| ICL7107RCPLZ | IC ADC 3.5DIGIT LCD/LED 40DIP |
| EEM18DCAN-S189 | CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD |
| ISL9014AIRKPZ | IC REG LDO 2.85/1.85V .3A 10-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N917 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N920 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N921 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N922 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N923 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
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