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参数资料
| 型号： | 1N956BCO |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | DIE-1 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 1N956BCO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N956DCO | 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1N956D | 70 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1N950C | 35 pF, 150 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1N5309 | 3 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N5311 | 3.6 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N957 | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| 1N957A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.8V 10% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-7 |
| 1N957B | 功能描述:稳压二极管 6.8V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N957B BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N957B TR | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
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