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参数资料
| 型号： | 1N959B-A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 1N959B-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N963B-B | 12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1.5KE170A-A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KE20-T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE33-A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6267A-T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N959BE3 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| 1N959BTR | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N959C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
| 1N959D | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION |
| 1N96 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES |
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