型号: | 1N962BT50A |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 33K |
代理商: | 1N962BT50A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4729A.TR | 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4729AT26R | 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4733A.TR | 5.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4745A | 16 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N5256B.TR | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N962BTR | 功能描述:稳压二极管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N962BTR_Q | 功能描述:稳压二极管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N962BUR-1 | 制造商:CDI-DIODE 制造商全称:Compensated Deuices Incorporated 功能描述:ZENER DIODES |
1N962C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
1N962D | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |