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参数资料
| 型号： | 1N968B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | METALLURGICALLY BONDED |
| 中文描述： | 冶金粘结 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 1N968B |
0
25
50
75
100
125
150
175
TA, Ambient temperature (C°)
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
.1
.2 .3 .4 .5
1
2
5
10
20
30 40
50
100
OPERATING CURRENT lZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1N957 thru 1N986B
INCLUDING -1 VERSIONS
FIGURE 2
3.3
VOL
T
5.1
VOL
T
27
VOL
T
11
VOL
T
6.2
VOL
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N969B | MCV 1,5/ 2-G-3,81 |
| 1N970 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1N971B-1 | METALLURGICALLY BONDED |
| 1N972B | METALLURGICALLY BONDED |
| 1N973B-1 | METALLURGICALLY BONDED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N968B BK | 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N968B TR | 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
| 1N968B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Zener Diode |
| 1N968B_Q | 功能描述:稳压二极管 20V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N968B_S00Z | 功能描述:稳压二极管 20V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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