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参数资料
| 型号： | 1N968DD7 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N968DD7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 12CTQ045-017 | 12 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N969 | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| 1N969A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 22V 10% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO-7 |
| 1N969B | 功能描述:稳压二极管 22V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N969B BK | 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N969B TR | 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
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