型号: | 1N978A-1 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 51 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 167K |
代理商: | 1N978A-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N991-1 | 180 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
1N3890 | 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
1N1231A | 1.6 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
1N1344AR | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
1N1346A | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N978B | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N978B BK | 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
1N978B TR | 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
1N978B_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N978B_T50R | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |