型号: | 1N978BUR-1 |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 113K |
代理商: | 1N978BUR-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N3026BUR-1 | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
1N3030BUR-1 | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
1N4104UR-1 | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
1N746C | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
10EZ12R | 12 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N978C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
1N978D | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
1N979 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
1N979A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO-7 |
1N979B | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |