型号: | 1N983B |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
封装: | DO-35, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 27K |
代理商: | 1N983B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N991BTR | 180 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N3681BBK | 12 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N3682BBK | 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4746A | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4751A | 30 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N983B_T50A | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N983B_T50R | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N983B-1 | 制造商:CDI-DIODE 制造商全称:Compensated Deuices Incorporated 功能描述:METALLURGICALLY BONDED |
1N983BUR-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Zener Voltage Regulator Diode[Qual Data] |
1N983C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |