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参数资料
| 型号： | 1N985A |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 100 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 1N985A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5061 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1.5KE47A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AE |
| 1N5287 | 0.33 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N3745 | SILICON, X BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N985B | 功能描述:稳压二极管 100V .5W 5% ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N985B-(DO-7) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 100V 5% 480mW 2-Pin DO-35 |
| 1N985B_T50A | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N985B_T50R | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N985B-1 | 制造商:CDI-DIODE 制造商全称:Compensated Deuices Incorporated 功能描述:METALLURGICALLY BONDED |
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