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参数资料
| 型号： | 1N990CD7 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 160 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N990CD7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N991DD7 | 180 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N992D7 | 200 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 10CTQ150-013 | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10CTQ150-018 | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 12CTQ035-009 | 12 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N990D | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
| 1N991 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
| 1N991A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 180V 500MW DO-7 |
| 1N991B | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N991B_T50A | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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