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参数资料
| 型号： | 1PMT5913D |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 封装： | DO-216, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 1PMT5913D |
MSC0995.PDF
ISO 9001 CERTIFIED
REV F 11/01/99
1PMT5913B thru 1PMT5956B
Electrical Characteristics @ TL = 30
°
° C
ZENER
VOLTAGE
(1)
VZ
TEST
CURRENT
IZT
DYNAMIC
IMPEDANCE
(2)
ZZT
KNEE
CURRENT
IZK
KNEE
IMPEDANCE
ZZK
REVERSE
CURRENT
IR (MAX)
REVERSE
VOLTAGE
VR
MAX
ZENER
CURRENT
(3)
IZM
MICROSEMI
NUMBER
DEVICE
MARKING
VOLTS
mA
OHMS
mA
OHMS
Adc
VOLTS
mA
1PMT5913B
913
3.3
113.6
10
1.0
500
100
1.0
749.1
1PMT5914B
914
3.6
104.2
9.0
1.0
500
75
1.0
686.4
1PMT5915B
915
3.9
96.1
7.5
1.0
500
25
1.0
633.6
1PMT5916B
916
4.3
87.2
6.0
1.0
500
5
1.0
547.2
1PMT5917B
917
4.7
79.8
5.0
1.0
500
5
1.5
526.4
1PMT5918B
918
5.1
73.5
4.0
1.0
350
5
2.0
481.8
1PMT5919B
919
5.6
66.9
2.0
1.0
250
5
3.0
432.3
1PMT5920B
920
6.2
60.5
2.0
1.0
200
5
4.0
397.7
1PMT5921B
921
6.8
55.1
2.5
1.0
200
5
5.2
363.0
1PMT5922B
922
7.5
50
3.0
0.5
400
5
6.0
330.0
1PMT5923B
923
8.2
45.7
3.5
0.5
400
5
6.5
300.3
1PMT5924B
924
9.1
41.2
4.0
0.5
500
5
7.0
270.6
1PMT5925B
925
10
37.5
4.5
0.25
500
5
8.0
247.5
1PMT5926B
926
11
34.1
5.5
0.25
550
1
8.4
224.4
1PMT5927B
927
12
31.2
6.5
0.25
550
1
9.1
206.2
1PMT5928B
928
13
28.8
7.0
0.25
550
1
9.9
189.8
1PMT5929B
929
15
25
9.0
0.25
600
1
11.4
165.0
1PMT5930B
930
16
23.4
10
0.25
600
1
12.2
153.5
1PMT5931B
931
18
20.8
12
0.25
650
1
13.7
68.5
1PMT5932B
932
20
18.7
14
0.25
650
1
15.2
123.8
1PMT5933B
933
22
17
17.5
0.25
650
1
16.7
112.2
1PMT5934B
934
24
15.6
19
0.25
700
1
18.2
102.3
1PMT5935B
935
27
13.9
23
0.25
700
1
20.6
90.8
1PMT5936B
936
30
12.5
28
0.25
750
1
22.8
82.5
1PMT5937B
937
33
11.4
33
0.25
800
1
25.1
74.3
1PMT5938B
938
36
10.4
38
0.25
850
1
27.4
67.7
1PMT5939B
939
39
9.6
45
0.25
900
1
29.7
62.7
1PMT5940B
940
43
8.7
53
0.25
950
1
32.7
56.1
1PMT5941B
941
47
8.0
67
0.25
1000
1
35.8
51.2
1PMT5942B
942
51
7.3
70
0.25
1100
1
38.8
47.9
1PMT5943B
943
56
6.7
86
0.25
1300
1
42.6
42.9
1PMT5944B
944
62
6.0
100
0.25
1500
1
47.1
38.6
1PMT5945B
945
68
5.5
120
0.25
1700
1
51.2
36.3
1PMT5946B
946
75
5.0
140
0.25
2000
1
56
33.0
1PMT5947B
947
82
4.6
160
0.25
2500
1
62.2
29.7
1PMT5948B
948
91
4.1
200
0.25
3000
1
69.2
26.4
1PMT5949B
949
100
3.7
250
0.25
3100
1
76
24.8
1PMT5950B
950
110
3.4
300
0.25
4000
1
83.6
21.5
1PMT5951B
951
120
3.1
380
0.25
4500
1
91.2
19.8
1PMT5952B
952
130
2.9
450
0.25
5000
1
98.8
18.1
1PMT5953B
953
150
2.5
600
0.25
6000
1
114
16.5
1PMT5954B
954
160
2.3
700
0.25
6500
1
121.6
14.9
1PMT5955B
955
180
2.1
900
0.25
7000
1
136.8
13.2
1PMT5956B
956
200
1.9
1200
0.25
8000
1
152
11.6
NOTE 1: Product shown has a standard tolerance of
±5% on the nominal zener voltage. Also available in 2% and 1%
tolerance with suffix C and D respectively. VZ is measured at IZT with Tc (TAB 1) 30°C . Voltage measurement to be
performed 20 seconds after application of dc current.
NOTE 2: Zener impedance is derived by superimposing on IZT a 60Hz rms ac current equal to 10% of IZT.
NOTE 3: Based upon 3 W maximum power dissipation. Allowance has been made for the higher voltage associated with
operation at higher currents and temperature. For determination of voltage change with current deviations from IZT
see Micro Note 202.
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PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5921D | 6.8 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
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| 1PMT5952D | 130 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 1PMT5925D | 10 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 1PMT5947B | 82 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT5914/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5914/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
| 1PMT5914A/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5914A/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
| 1PMT5914AE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
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