- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录366184 > 1PMT5923BT3 (MOTOROLA INC) surface mount silicon Zener diodes PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1PMT5923BT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 8.2 V, 0.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 1PMT5923BT3 |
Zener Voltage Regulator
I
F
V
I
I
R
I
ZT
V
R
V
Z
V
F
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C (Note 1)
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance from Junction to Ambient
°
P
D
°
R
JA
500
4.0
248
°
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance from Junction to Lead (Anode)
R
Janode
35
°
C/W
Maximum DC Power Dissipation (Note 2)
Thermal Resistance from Junction to Tab (Cathode)
°
P
D
°
R
Jcathode
3.2
23
W
°
C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
1. Mounted with recommended minimum pad size, PC board FR4.
2. At Tab (Cathode) temperature, T
tab
= 75
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless
otherwise noted, V
F
= 1.5 V Max. @ I
F
= 200 mAdc for all types)
Symbol
Parameter
V
Z
Reverse Zener Voltage @ I
ZT
I
ZT
Reverse Current
Z
ZT
Maximum Zener Impedance @ I
ZT
I
ZK
Reverse Current
Z
ZK
Maximum Zener Impedance @ I
ZK
I
R
Reverse Leakage Current @ V
R
V
R
Reverse Voltage
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 30
°
C unless otherwise noted, V
F
= 1.25 Volts @ 200 mA)
Zener Voltage
(Note 3)
Z
ZT
@ I
ZT
(Note 4)
Z
ZK
@ I
ZK
(Note 4)
Device
Marking
V
Z
@ I
ZT
(Volts)
I
ZT
(mA)
I
R
@ V
R
( A)
V
R
(V)
I
ZK
(mA)
Device
Min
Nom
Max
( )
( )
1PMT5920BT1, T3
20B
5.89
6.2
6.51
60.5
5.0
4.0
2.0
200
1.0
1PMT5921BT1, T3
21B
6.46
6.8
7.14
55.1
5.0
5.2
2.5
200
1.0
1PMT5922BT1, T3
22B
7.12
7.5
7.88
50
5.0
6.0
3.0
400
0.5
1PMT5923BT1, T3
23B
7.79
8.2
8.61
45.7
5.0
6.5
3.5
400
0.5
1PMT5924BT1, T3
24B
8.64
9.1
9.56
41.2
5.0
7.0
4.0
500
0.5
1PMT5925BT1, T3
25B
9.5
10
10.5
37.5
5.0
8.0
4.5
500
0.25
1PMT5927BT1, T3
27B
11.4
12
12.6
31.2
1.0
9.1
6.5
550
0.25
1PMT5929BT1, T3
29B
14.25
15
15.75
25
1.0
11.4
9.0
600
0.25
1PMT5930BT1, T3
30B
15.2
16
16.8
23.4
1.0
12.2
10
600
0.25
1PMT5931BT1, T3
31B
17.1
18
18.9
20.8
1.0
13.7
12
650
0.25
1PMT5933BT1, T3
33B
20.9
22
23.1
17
1.0
16.7
17.5
650
0.25
1PMT5934BT1, T3
34B
22.8
24
25.2
15.6
1.0
18.2
19
700
0.25
1PMT5935BT1, T3
35B
25.65
27
28.35
13.9
1.0
20.6
23
700
0.25
1PMT5936BT1, T3
36B
28.5
30
31.5
12.5
1.0
22.8
28
750
0.25
1PMT5939BT1, T3
39B
37.05
39
40.95
9.6
1.0
29.7
45
900
0.25
1PMT5941BT1, T3
3. Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium with an ambient temperature of 25
°
C.
4. Zener Impedance Derivation Z
ZT
and Z
ZK
are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The
specified limits are for I
Z
(ac) = 0.1 I
Z
(dc) with the ac frequency = 60 Hz.
41B
44.65
47
49.35
8.0
1.0
35.8
67
1000
0.25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5924BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5933BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5930BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5931BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5930BT3 | Plastic Surface Mount 3.2 Watt Zener Diode(塑料表贴封装，3.2W,16V齐纳电压，齐纳稳压二极管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT5923BT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5923C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5923C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
| 1PMT5923CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5923CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。