- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录366184 > 1PMT5925BT3 (MOTOROLA INC) surface mount silicon Zener diodes PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1PMT5925BT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 10 V, 0.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 1PMT5925BT3 |
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
7
5
3
2
Figure 1. Steady State Power Derating
Figure 2. V
Z
to 10 Volts
25
50
75
T, TEMPERATURE (
°
C)
100
125
175
3.5
2.5
2
1.5
1
0
P
D
0.1
5
6
9
10
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
0.5
T
L
2
4
6
8
10
12
10
8
6
4
2
0
2
4
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
V
Z
@ I
ZT
200
100
70
50
30
20
10
10
20
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Zener Voltage 14 To 47 Volts
30
50
70
100
200
V
Z
@ I
ZT
150
3
7
8
11
1
10
100
I
Z
,
Figure 3. V
Z
= 12 thru 47 Volts
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
I
Z
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
2
5
3
Figure 4. Zener Voltage To 12 Volts
Figure 6. Effect of Zener Voltage
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
5
7
10
20
30
50
70
100
200
100
70
50
30
20
10
Z
Z
I
Z(dc)
= 1mA
20
mA
i
Z(rms)
= 0.1 I
Z(dc)
10
mA
V
,
°
C
V
,
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5934BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5935BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5936BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5941BT3 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1PMT5927BT3 | IC 1:10 CLOCK BUFFER 28-SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT5925BT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5925C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5925C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
| 1PMT5925CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5925CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。