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参数资料
| 型号： | 1PMT5939BT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 39 V, 0.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 1PMT5939BT3 |
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
4
Figure 7. Effect of Zener Current
I
Z
, ZENER TEST CURRENT (mA)
1 k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
500
Z
Z
T
J
= 25
°
C
i
Z(rms)
= 0.1 I
Z(dc)
22
V
12
V6.8 V
10,000
1000
100
10
1
10
V
Z
, REVERSE ZENER VOLTAGE (VOLTS)
C
MEASURED @ 50% V
R
MEASURED @ 0 V BIAS
Figure 8. Capacitance versus Reverse
Zener Voltage
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT5939BT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5939C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 39V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5939C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 39V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
| 1PMT5939CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 39V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 |
| 1PMT5939CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 39V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 |
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