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参数资料
型号： 1PS181,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 1/8页
文件大小： 214K
描述： DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC-59
标准包装： 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500nA @ 80V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 215mA（DC）
电压 - (Vr)（最大）： 80V
反向恢复时间(trr)： 4ns
二极管类型： 标准
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阳极
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SMT3
包装： 带卷 (TR)
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of April 1996
1996 Sep 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1PS181
High-speed double diode
dbook, halfpage
M3D114
相关PDF资料
PDF描述
1PS184,115 DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC-59
1PS226,115 DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC59
1PS300,115 DIODE 80V 170MA HI-SPEED SC70
1PS301,115 DIODE 80V 160MA HI-SPEED SC70
1SS356TW11 DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR
相关代理商/技术参数
参数描述
1PS184 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:High-Speed Double Diode
1PS184 /T3 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS184 T/R 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS184,115 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS184,135 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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