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参数资料
型号： 1PS193,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 1/8页
文件大小： 206K
描述： DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC59
标准包装： 3,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 80V
电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.2V @ 100mA
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)： 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500nA @ 80V
电容@ Vr, F： 1.5pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SMT3
包装： 带卷 (TR)
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of April 1996
1996 Sep 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1PS193
High-speed diode
dbook, halfpage
M3D114
相关PDF资料
PDF描述
1PS59SB10,115 DIODE SCHOTTKY 30V 300MA SC59
1PS59SB20,115 DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SC59
1PS70SB20,115 DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SC70
1PS76SB10,115 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC-76
1PS79SB10,115 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC79
相关代理商/技术参数
参数描述
1PS226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Diode, Doubler, 85 Volt, TO-236VAR
1PS226 /T3 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226 T/R 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226,115 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226,135 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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