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参数资料
| 型号： | 1PS301,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 231K |
| 描述： | DIODE 80V 160MA HI-SPEED SC70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 160mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1PS301
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 6 March 2012
3 of 11
NXP Semiconductors
1PS301
Dual high-speed switching diode
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Single diode loaded.
[3] Double diode loaded.
[4] Tj
=25?C before surge.
6. Thermal characteristics
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7. Characteristics
[1] When switched from IF
= 10 mA to IR
=10mA; RL
= 100
?; measured at IR
=1mA.
[2] When switched from IF
=10mA; tr
=20ns.
Per device
Ptot
total power dissipation Tamb
?
25
?C
[1]
-300mW
Tj
junction temperature
- 150
?C
Tamb
ambient temperature
?55 +150
?C
Tstg
storage temperature
?65 +150
?C
Table 5. Limiting values
…continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per device
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
[1]
- - 415 K/W
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
- - 200 K/W
Table 7. Characteristics
Tamb
=25?C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VF
forward voltage IF
= 1 mA
- 610 - mV
IF
= 10 mA
- 740 - mV
IF
=50mA
--1.0V
IF
=100mA
--1.2V
IR
reverse current VR
=25V
--30nA
VR
=80V
--0.5?A
VR=25V; Tj
=150?C --30?A
VR=80V; Tj
=150?C - - 100
?A
Cd
diode capacitance f = 1 MHz; VR
=0V --1.5pF
trr
reverse recovery time
[1]
--4ns
VFR
forward recovery voltage
[2]
--1.75V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS356TW11 | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
| 1SS361UDJ-7 | DIODE 80V 250MA SOT963 |
| 1SS390TE61 | DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR |
| 1SV233-TB-E | DIODE PIN 50V 50MA SGL CP |
| 1SV249-TL-E | DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS302 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:High-speed double diode |
| 1PS302 T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS302,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS302115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE 80V 0.17A HI-SPEED SC70 |
| 1PS50-03WS | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:General purpose PIN diode |
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