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参数资料
| 型号： | 1PS66SB63 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | 5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes |
| 中文描述： | SILICON, MIXER DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 1PS66SB63 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004
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Date of release: 3 December 2004
Document number: 9397 750 13846
Published in The Netherlands
Philips Semiconductors
1PS66SB63; 1PS79SB63
5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes
15. Contents
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS79SB63 | 5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes |
| 1PS74SB43 | Schottky barrier diode |
| 1PS76SB62 | Schottky barrier diode |
| 1PS89SB16 | Schottky barrier double diodes |
| 1PS89SS04 | High-speed double diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS66SB63,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS66SB82 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:15 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diodes |
| 1PS66SB82 T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS66SB82,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS70SB10 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky diode,30V,200mA,1PS70SB10 |
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