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参数资料
| 型号： | 1PS76SB10,135 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 132K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD-323 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934045390135 |
     NXP Semiconductors 1PS76SB10 Schottky barrier single diode 1PS76SB10 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 18 July 2012 3 / 8 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - - 240 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - - 320 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - - 400 mV IF = 30 mA; T amb = 25 °C - - 500 mV VF forward voltage IF = 100 mA; T amb = 25 °C - - 800 mV IR reverse current VR = 25 V; T amb = 25 °C; pulsed; tp = 300 μs; δ = 0.02 - - 2 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 10 pF 103 102 10- 1 0 IF (mA) VF (V) 10 1 (1) 1.2 0.8 0.4 msa892 ) (3) (2 ) 2) (3) 1 ( ( (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values 0- 1 0 10 20 30 VR (V) 103 102 1 IR (μA) 10 1 (1) (2) (3) msa893 (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMM15DRYI | CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD |
| R2D-1509/H | CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT |
| T95R686M025LSAS | CAP TANT 68UF 25V 20% 2824 |
| TCJB336M010R0200 | CAP TANT 33UF 10V 20% 1210 |
| ABM36DRYI | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS76SB10T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY TAPE-7 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R |
| 1PS76SB10Z | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:3,000 |
| 1PS76SB17 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky barrier diode |
| 1PS76SB17 T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS76SB17,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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