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参数资料
| 型号： | 1PS79SB30,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SC79 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 20pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     NXP Semiconductors 1PS79SB30 Schottky barrier single diode 1PS79SB30 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 24 July 2012 3 / 8 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - 190 220 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - 250 290 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - 320 360 mV IF = 100 mA; T amb = 25 °C - 440 500 mV VF forward voltage IF = 200 mA; T amb = 25 °C - 520 600 mV IR reverse current VR = 25 V; T amb = 25 °C; pulsed; tp = 300 μs; δ = 0.02 - - 0.5 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 20 pF mld546 1.2 0.8 0.4 0 (1) (3) VF (V) IF (mA) 103 102 10 1 10-1 (2) (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values mld547 ) 40 20 10 0 0 VR (V IR (μA) 3 103 102 10 1 10- 1 (1) (2) (3) (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values |
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