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参数资料
| 型号： | 1S1555 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | 1S1555 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1S954 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SMB110ABK | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB120ATR13 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB12ABK | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB13ATR13 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1S1585 | 制造商:Toshiba 功能描述:Diode Switching 90V 0.15A 2-Pin DO-35 Bulk |
| 1S1586 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Type |
| 1S1587 | 制造商:SYNSEMI 制造商全称:SYNSEMI 功能描述:HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
| 1S1588 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DISC BY MFG 3/04 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1S1829 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:RECTIFIER (GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS) |
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