参数资料
| 型号： | 1SMA20AT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 20V |
| 电压 - 击穿： | 22.2V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1SMA5.0AT3G Series, SZ1SMA5.0AT3G Series
RATING AND TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2.
T A = 25 ? C
120
100
80
? 10 m s
PEAK VALUE
I ppm
T A = 25 ? C
PW (I D ) IS DEFINED AS THE
POINT WHERE THE PEAK CURRENT
DECAYS TO 50% OF I pp .
60
HALF VALUE - I pp /2
1
40
20
t d
10/1000 m s WAVEFORM
AS DEFINED BY R.E.A.
0.1
10 -4
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
120
t P , PULSE WIDTH (ms)
Figure 1. Pulse Rating Curve
10,000
t, TIME (ms)
Figure 2. Pulse Waveform
100
80
10 x 1000 WAVEFORM
AS DEFINED BY R.E.A.
1,000
1SMA5.0AT3G
1SMA10AT3G
T J = 25 ? C
F = 1 MHz
1SMA36AT3G
60
40
100
1SMA64AT3G
10
20
0
0
40
80 120 160
200
1
1
10
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 3. Pulse Derating Curve
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs.
Bias Voltage
6
5
4
3
2
1
0
@ T L = 75 ? C
P D = 1.5 W
@ T A = 25 ? C
P D = 0.5 W
0
25
50
75
100
125
150
T, TEMPERATURE ( ? C)
Figure 5. Steady State Power Derating
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1SMA20CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 20V 400W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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| 1SMA22AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 22V 400W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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