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参数资料
| 型号： | 1SMA5920BT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER 6.2V 1.5W SMA |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 齐纳（标称）(Vz)： | 6.2V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 4V |
| 容差： | ±5% |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 阻抗（最大）(Zzt)： | 2 欧姆 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 标准包装 |
| 工作温度： | -65°C ~ 150°C |
| 产品目录页面： | 1564 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1SMA5920BT3GOSDKR |
1SMA59xxBT3G Series, SZ1SMA59xxBT3G Series
RATING AND TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES (T A = 25 ? C)
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
10
NONREPETITIVE, EXPONENTIAL
PULSE WAVEFORM, T J = 25 ? C
1
MEASURED @
100
V Z /2
T J = 25 ? C
0.1
10
0.01
10
100
0.01
0.1 1
10
BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Curve
T P , PULSE WIDTH (ms)
Figure 8. Typical Pulse Rating Curve
120
100
80
? 10 m s
PEAK VALUE
I ppm
T A = 25 ? C
PW (I D ) IS DEFINED AS THE
POINT WHERE THE PEAK CURRENT
DECAYS TO 50% OF I pp .
120
100
0.9 I PEAK
80
8/20 m s WAVEFORM
AS DEFINED BY ANSI C62.1
AND IEC 801-5.
60
40
HALF VALUE - I pp /2
10/1000 m s WAVEFORM
60
40
0.5 I PEAK
AS DEFINED BY R.E.A.
20
t d
0.1 I PEAK
20
T = 8 m s
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.02
0.04 0.06
0.08
0.1
t, TIME (ms)
Figure 9. Pulse Waveform
http://onsemi.com
4
T
20 m s
t, TIME (ms)
Figure 10. Pulse Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEM22DRSH | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| 396-070-540-804 | CARD EDGE 70POS DL .125X.250 BLK |
| 345-070-542-202 | CARDEDGE 70POS DUAL .100 GREEN |
| MMBD1204_D87Z | DIODE SS 100V 200MA SOT-23 |
| T95D107M016CSSL | CAP TANT 100UF 16V 20% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMA5920BT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
| 1SMA5921 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE |
| 1SMA5921_R1_00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1SMA5921_R2_00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1SMA5921A | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
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