参数资料
| 型号： | 1SMB16CAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER BIDIRECT 600W 16V SMB |
| 产品目录绘图： | SMB 600 Watt Top SMB 600 Watt Side 1 SMB 600 Watt Side 2 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 16V |
| 电压 - 击穿： | 17.8V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2386 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1SMB16CAT3GOSDKR |
1SMB10CAT3G Series, SZ1SMB10CAT3G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L = 25 ? C, Pulse Width = 1 ms
DC Power Dissipation @ T L = 75 ? C Measured Zero Lead Length (Note 2)
Derate Above 75 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Lead
DC Power Dissipation (Note 3) @ T A = 25 ? C
Derate Above 25 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
P D
R q JA
T J , T stg
Value
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
? 65 to +150
Unit
W
W
mW/ ? C
? C/W
W
mW/ ? C
? C/W
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. 10 X 1000 m s, non ? repetitive
2. 1 ? square copper pad, FR ? 4 board
3. FR ? 4 board, using ON Semiconductor minimum recommended footprint, as shown in 403A case outline dimensions spec
*Please see 1SMB5.0AT3 to 1SMB170AT3 for Unidirectional devices
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ? C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
I PP
I
I PP
V C
V RWM
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I T
V C V BR V RWM I R
I R V RWM V BR V C
I T
V
I R
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
http://onsemi.com
2
I PP
Bi ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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