型号: | 1SMB26ALEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 672K |
代理商: | 1SMB26ALEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4383LEADFREE | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1SMB54ALEADFREE | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1SMB54ABKLEADFREE | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N4685CLEADFREE | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1SMB75ATR13LEADFREE | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1SMB26AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1SMB26AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1SMB26CA | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 600 WATTS, 5.0 THRU 170 VOLTS |
1SMB26CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1SMB26CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |