参数资料
| 型号： | 1SMB28CAT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 28V BIDIRECT SMB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 产品目录绘图： | SMB 600 Watt Top SMB 600 Watt Side 1 SMB 600 Watt Side 2 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 28V |
| 电压 - 击穿： | 31.1V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1SMB10CAT3G Series, SZ1SMB10CAT3G Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2
100
t r ? 10 m s
PEAK VALUE - I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO 50%
OF I PP .
HALF VALUE - PP
1
50
t P
I
2
0.1
0.1 m s
1 m s
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0
0
1
2
3
4
5
160
140
120
t P , PULSE WIDTH
Figure 1. Pulse Rating Curve
1000
t, TIME (ms)
Figure 2. Pulse Waveform
1SMB10CAT3G
1SMB18CAT3G
100
100
1SMB48CAT3G
80
60
40
10
1SMB75CAT3G
20
0
0
25
50
75
100
125
150
1
1
T J = 25 ? C
f = 1 MHz
10
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 3. Pulse Derating Curve
BIAS VOLTAGE (V)
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs. Bias
Voltage
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
http://onsemi.com
4
V L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 535676-4 | CONN RECEPT 5POS .100 RT/ANG AU |
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| 1SMB26CAT3 | TVS 600W 26V BIDIRECT SMB |
| MMA23-0141Q1 | CONN RACK/PANEL 14POS 5A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB28CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 28V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB2EZ10 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES |
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