参数资料
| 型号： | 1SMB40AT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER UNIDIRECT 600W 40V SMB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 40V |
| 电压 - 击穿： | 44.4V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1SMB40AT3OSDKR |
1SMB5.0AT3G Series, SZ1SMB5.0AT3G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L = 25 ? C, Pulse Width = 1 ms
DC Power Dissipation @ T L = 75 ? C Measured Zero Lead Length (Note 2)
Derate Above 75 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Lead
DC Power Dissipation (Note 3) @ T A = 25 ? C
Derate Above 25 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Ambient
Forward Surge Current (Note 4) @ T A = 25 ? C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
P D
R q JA
I FSM
T J , T stg
Value
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
? 65 to +150
Unit
W
W
mW/ ? C
? C/W
W
mW/ ? C
? C/W
A
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. 10 X 1000 m s, non ? repetitive.
2. 1 in square copper pad, FR ? 4 board.
3. FR ? 4 board, using ON Semiconductor minimum recommended footprint, as shown in 403A case outline dimensions spec.
4. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ? C unless
otherwise noted, V F = 3.5 V Max. @ I F (Note 5) = 30 A)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
I F
I
I R V F
V RWM
I R
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
I PP
5. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms,
non ? repetitive duty cycle.
http://onsemi.com
2
Uni ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-102-08-L-S | CONN HEADER 2POS .100" SGL GOLD |
| 1SMB20CAT3 | TVS ZENER BIDIRECT 600W 20V SMB |
| TSW-103-08-L-S | CONN HEADER 3POS .100" SGL GOLD |
| TSW-106-08-L-S | CONN HEADER 6POS .100" SGL GOLD |
| 2-36153-4 | CONN RING 20 AWG #10 PIDG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB40AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB40CA | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 600 WATTS, 5.0 THRU 170 VOLTS |
| 1SMB40CA BK | 功能描述:TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:40V 电压 - 击穿（最小值）:44.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:64.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:500 |
| 1SMB40CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB40CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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