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参数资料
| 型号： | 1SMB6.0ABK |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1SMB6.0ABK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1SMB7.0ATR13 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB7.5ABK | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB8.5ATR13 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB26ABK | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB20ABK | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB60AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB60AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB60CA TR13 | 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
| 1SMB60CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB60CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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