参数资料
| 型号： | 1SMB64CAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 64V BIDIRECT SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 64V |
| 电压 - 击穿： | 71.1V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 1SMB64CAT3G-ND 1SMB64CAT3GOSTR |
1SMB10CAT3G Series, SZ1SMB10CAT3G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L = 25 ? C, Pulse Width = 1 ms
DC Power Dissipation @ T L = 75 ? C Measured Zero Lead Length (Note 2)
Derate Above 75 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Lead
DC Power Dissipation (Note 3) @ T A = 25 ? C
Derate Above 25 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
P D
R q JA
T J , T stg
Value
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
? 65 to +150
Unit
W
W
mW/ ? C
? C/W
W
mW/ ? C
? C/W
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. 10 X 1000 m s, non ? repetitive
2. 1 ? square copper pad, FR ? 4 board
3. FR ? 4 board, using ON Semiconductor minimum recommended footprint, as shown in 403A case outline dimensions spec
*Please see 1SMB5.0AT3 to 1SMB170AT3 for Unidirectional devices
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ? C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
I PP
I
I PP
V C
V RWM
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I T
V C V BR V RWM I R
I R V RWM V BR V C
I T
V
I R
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
http://onsemi.com
2
I PP
Bi ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 929835-01-06 | CONN HEADER .100 SNGL R/A 6POS |
| 929400-01-07 | CONN HEADER .100 SNGL STR 7POS |
| 1SMB75CAT3G | TVS 600W 75V BIDIRECT SMB |
| 929834-02-07 | CONN HEADER .100 SNGL STR 7POS |
| AD8608ARUZ-REEL | IC OPAMP GP R-R CMOS 14TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB7.0A TR13 | 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:7V 电压 - 击穿（最小值）:7.78V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
| 1SMB7.0AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB7.0AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB7.5A BK | 功能描述:TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:46.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:500 |
| 1SMB7.5A TR13 | 功能描述:TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:46.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
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