参数资料
| 型号： | 1SMB75AT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 75V UNIDIRECT SMB |
| 产品目录绘图： | SMB 600 Watt Top SMB 600 Watt Side 1 SMB 600 Watt Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 75V |
| 电压 - 击穿： | 83.3V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1SMB75AT3GOSDKR |
1SMB5.0AT3G Series, SZ1SMB5.0AT3G Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2
100
t r ? 10 m s
PEAK VALUE - I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF
I PP .
HALF VALUE - PP
1
50
t P
I
2
0.1
0.1 m s
1 m s
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0
0
1
2
3
4
5
160
t P , PULSE WIDTH
Figure 1. Pulse Rating Curve
10,000
t, TIME (ms)
Figure 2. Pulse Waveform
140
120
100
1000
1SMB5.0AT3G
1SMB10AT3G
T J = 25 ? C
f = 1 MHz
80
60
40
20
100
10
1SMB48AT3G
1SMB170AT3G
0
0
25
50
75
100
125
150
1
1
10
100
1000
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 3. Pulse Derating Curve
Z in
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs.
Bias Voltage
V in
LOAD
V L
Figure 5. Typical Protection Circuit
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1SMB75CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB78A TR13 | 功能描述:TVS DIODE 78VWM 126VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:126V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.7A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
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