参数资料
型号: 1SMB85CATR13
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 65K
代理商: 1SMB85CATR13
相关PDF资料
PDF描述
1SMB18CABK 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1SMB51CATR13 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1SMB22CAT3 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1SMB30CAT3 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1SMB36CAT3 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1SMB9.0A TR13 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):9V 电压 - 击穿(最小值):10V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:15.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):39A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1
1SMB9.0AT3 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 9V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1SMB9.0AT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 9V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1SMB9.0CA TR13 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9V 电压 - 击穿(最小值):10V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:15.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):39A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1
1SMB90A TR13 功能描述:TVS DIODE 90VWM 146VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):90V 电压 - 击穿(最小值):100V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:146V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1