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参数资料
| 型号： | 1SS133HV |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.11 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1SS133HV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS134HV | 0.05 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS134T-14 | 0.05 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS134T-77 | 0.05 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS134T-94 | 0.05 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS137HJ | 0.2 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SS133M | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching diode 200 mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1SS133M R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 90V 150MA DO34 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向 供应商器件封装:DO-34 工作温度 - 结:175°C（最大） 标准包装:1 |
| 1SS133T | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| 1SS133-T2 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:SI. DIODE |
| 1SS133T-72 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 "-77" T/R SUFFIX IS PREFERRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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