型号: | 1SS353 |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | 1SS353 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1SS355 | 0.15 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1SS357TPH4 | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
1SS357 | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1SS353TE-17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
1SS354 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Epitaxial Planar High-Speed Switching Diodes |
1SS355 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 Switching diode 200 mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1SS355 RR | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Small Signal Switching 90V 0.25A 2-Pin SOD-323FL T/R |
1SS355 RRG | 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 500mV,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 |